英特爾、三星、臺積電都得排隊搶購 ASML推出新一代High N光刻機
近日,國際光刻機巨頭ASML推出了全新光刻機產品-新型High NA (High Numerical Aperture高數值孔徑技術)光刻機。據悉,新型High NA光刻機采用了全新的光學設計,擁有更高的分辨率,可以有效縮小芯片約1.7倍左右,與此同時還能提高芯片的晶圓密度到2.9倍左右,縮小體積同時性能大幅提升,隨著High NA光刻機光學分辨率的提升,給未來芯片制造技術層面的突破帶來更多的可能(可以輕松突破3nm制程工藝甚至更低)。據官方介紹,新型High NA光刻機的推出還可以極大的提高生產效率,縮短生產時間,降低芯片生產的廢品率及成本。
ASML推出最新光刻機-新型High NA光刻機
當前,英特爾、三星及臺積電采用的是EUV(極紫外線)光刻機, 目前極限制程可以達到3nm,EUV光刻機的零件有10萬,需要40個集裝箱運輸,單機售價高達1.4億美元,想要達到量產一臺可遠遠不夠。而這臺新型High NA光刻機擁有更大的體積,更復雜的設計以及高達3億美元的售價。目前,有消息稱英特爾已經向ASML預定該設備期望能夠成為第一個拿到新型High NA光刻機。當然,相信三星和臺積電也一定不會置之不理。
芯片這條賽道雖然難,但對于中國來講是必須要攻克的,否則整個行業都受制于人,勢必只能處于“落后追趕”的狀態,只有我們自己掌握了核心技術才能獲得更好的發展,中國芯片,未來可期!
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