臺(tái)積電宣布N4P高性能工藝:又是5nm
臺(tái)積電今天宣布了一個(gè)新的制程工藝節(jié)點(diǎn)“ N4P ”—— 看起來(lái)是4nm,但其實(shí)是5nm的又一個(gè)版本,確切地說(shuō)是N5、N5P、N4之后的第四個(gè)版本、第三個(gè)升級(jí)版,注重高性能。
臺(tái)積電稱, N4P工藝相比最初的N5工藝可提升11%的性能,或者提升22%的能效、6%的晶體管密度,而對(duì)比N4可將性能提升6.6%。
此外, N4P工藝會(huì)重復(fù)使用多層遮罩 ,因此可大大降低工藝復(fù)雜度,加快晶圓生產(chǎn)速度。
臺(tái)積電稱,N4P工藝是為客戶5nm工藝平臺(tái)產(chǎn)品升級(jí)準(zhǔn)備的,不但可以最大化挖掘投資價(jià)值,還可以更快、更高效地升級(jí)N5工藝產(chǎn)品。
臺(tái)積電表示, 第一款基于N4P工藝的產(chǎn)品預(yù)計(jì)2022年下半年流片。
臺(tái)積電此前披露,N3 3nm工藝將在今年內(nèi)風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn),2023年第一季度獲得實(shí)際收入,N3E 2024年量產(chǎn), N2 2nm 2025年量產(chǎn)。
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