導讀：PCM是什么?其實就是變相存儲，初次聽到"相變"這個詞,很多讀者朋友會感到比較陌生吧，想了解更多姿勢的朋友們快來看看吧。

1.PCM是什么--簡介

PCM是Phase Change Memory的簡稱，中文名稱為相變存儲器，它利用硫族化合物在晶態和非晶態巨大的導電性差異來存儲數據的。PCM是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態下存在，這些狀態都稱為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進行工作的。

2.PCM是什么--基本構成

相變存儲器是一種新興的非易失性計算機存儲器技術。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠實現一億次以上的擦寫次數。相變存儲器主要是由頂部電極、晶態GST、α/晶態GST[4]、熱絕緣體、電阻(加熱器)、底部電極組成的。

3.PCM是什么--原理

下圖的原理圖給出了一種典型GST PCM器件的結構。一個電阻連接在GST層的下方。加熱/熔化過程只影響該電阻頂端周圍的一小片區域。擦除/RESET脈沖施加高電阻即邏輯0，在器件上形成一片非晶層區域。SET脈沖用于置邏輯1，使非晶層再結晶回到結晶態。晶態是一種低能態;因此，當對非晶態下的材料加熱，溫度接近結晶溫度時，它就會自然地轉變為晶態。

在非晶態下，GST材料具有短距離的原子能級和較低的自由電子密度，使得其具有較高的電阻率。由于這種狀態通常出現在RESET操作之后，我們一般稱其為RESET狀態，在RESET操作中DUT的溫度上升到略高于熔點溫度，然后突然對GST淬火將其冷卻。

在晶態下，GST材料具有長距離的原子能級和較高的自由電子密度，從而具有較低的電阻率。一般稱其為SET狀態，在SET操作中，材料的溫度上升高于再結晶溫度但是低于熔點溫度，然后緩慢冷卻使得晶粒形成整層。晶態的電阻范圍通常從1千歐到10千歐。

4.PCM是什么--測量技術

變相存儲器由于具有能耗低、讀寫速度快及儲存密度高等優點，被認為是最有希望替代閃存的下一代非揮發性存儲技術，近些年已經成為國際上關注的熱點。變相存儲駐澳有兩項測量技術：

1.相變存儲器(PCM)器件進行特征分析的脈沖需求

我們必須仔細選擇所用RESET和SET脈沖的電壓和電流大小 ，以產生所需的熔化和再結晶過程。RESET脈沖應該將溫度上升到恰好高于熔點，然后使材料迅速冷卻形成非晶態。SET脈沖應該將溫度上升到恰好高于再結晶溫度但是低于熔點，然后通過較長的時間冷卻它;因此，SET脈沖的脈寬和下降時間應該比RESET脈沖長。

2、標準的R負載測量技術

在標準R負載測量技術中，一個電阻與DUT串聯，通過測量負載電阻上的電壓就可以測出流過DUT的電流。采用有源、高阻抗探針和示波器 記錄負載電阻上的電壓。流過DUT的電流等于施加的電壓減去器件上的電壓，再除以負載電阻。負載電阻的大小范圍通常從1千歐到3千歐。

拓展閱讀：

1.某探測器測試與信號處理系統的PCM信息采集

2.基于LVDS接口的PC M解碼板設計

3.相變存儲器(PCM)與存儲器技術簡介

關鍵詞： PCM 相變存儲器 PCM是什么